
在现实世界中,Dk值是会随着高频板材料温度的变化而变化的。只有TCDk值非常低的高频板材料才能被认为是具有随温度稳定Dk的材料,通常TCDk的这个值要小于50ppm/℃。当某一应用要求高频板需要经受较大的工作温度范围,并且需要始终保持稳定的性能时
LVDS:Low Voltage Differential Signaling,低电压差分信号。LVDS传输支持速率一般在155Mbps(大约为77MHz)以上。LVDS是一种低摆幅的差分信号技术,它使得信号能在差分PCB线对或平衡电缆上以几百Mbps的速率传输,其低压幅和低电流驱动输出实现了低噪声和低功耗。
随着CPU核心数量和计算性能的持续增加,内存带宽和容量也必须成比例地扩展,这是DDR5推出的根本动力所在。而DDR5最亮眼的部分,就是速度比已经“超级快”的DDR4还要快。
芯片封装工艺流程是将芯片(集成电路)进行封装,以保护芯片并方便其与外界交互。封装工艺流程通常可以分为前段操作和后段操作。前段操作是指在芯片封装之前的工艺步骤,后段操作是指在成型之后的工艺步骤。
本文介绍了若干种电子可重构或可调谐微带线滤波器。通过采用不同的电子控制技术,包括射频微机电系统和铁电体,梳状滤波器结构已经被广泛地用来开发可调谐或可重构滤波器,虽然这类滤波器的带宽通常都很小。
随着我国微电子产业水平的不断提高,电子封装技术向着高频高速、高可靠性、大尺寸、高度集成化方向发展,电子封装导体材料在新一代封装材料体系中发挥着越来越重要的作用。今天我们就带大家一起来看看自制铜浆的组成和特点,一起探讨铜浆在多层陶瓷封装外壳制备技术中的适用性。通过对铜浆微观形貌观察,方阻、剪切强度的测试,分析讨论玻璃相添加量、烧结温度、排胶温度、排胶时间对于铜浆性能的影响。
毫米波集成电路具有体积小、成本低等很多优点 , 传统的毫米波单片集成电路主要采用化合物半导体工艺,如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等,其在毫米波频段具有良好的性能,是该频段的主流集成电路工艺。另一方面,近十几年来硅基(CMOS、SiGe等)毫米波亚毫米波集成电路也取得了巨大进展。
IGBT (绝缘栅双极晶体管)作为一种功率半导体器件,广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点。它是能量转换和传输的核心装置。
DBC陶瓷基板由于同时具备铜的优良导电、导热性能和陶瓷的机械强度高、低介电损耗的优点,被广泛应用于各型大功率半导体特别是IGBT封装材料。DBC技术是利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接在陶瓷上,其制备过程中关键因素是氧元素的引入,因此需对铜片进行预氧化处理。
针对电子设备的热失效问题,介绍了 PCB 电路板及其电子元器件的散热方式和特点,将系统级散热技术分为单相散热和多相散热,指出各种散热技术的热流密度范围,从散热结构、运行参数、材料与工质、散热技术耦合等角度论述了各种散热技术的研究进展。提出了散热器设计、纳米颗粒应用、散热技术耦合、精密控制技术、PCB设计、减振与降噪几个发展重点,为 PCB 电路板及其电子元器件系统级散热技术进一步发展提供了建议。