
先进封装芯片不仅能满足高性能计算、人工智能、功率密度增长等的需求,同时先进封装的散热问题也变得复杂。因为一个芯片上的热点会影响到邻近芯片的热量分布。芯片之间的互连速度在模块中也比在SoC中要慢
在实际生产过程中,OSP板容易出现表面变色、膜厚不均匀、膜厚超差(太厚或太薄)等问题;在PCB制作的后期阶段,已成型的PCB如储存和使用不当容易出现焊盘氧化、焊盘上锡不良、不能形成牢固的焊点、虚焊及焊锡不饱满等焊接问题
氮化硅陶瓷基板的热导率远大于氧化铝陶瓷,碳化硅MOSFET在新能源汽车的核心电机驱动中,采用了碳化硅MOSFET器件比传统碳化硅IGBT带来5%~10%的续航提升。
TI创新型负载开关封装TPS22992负载开关结合了WCSP和SON的优点,既具有WCSP解决方案尺寸小巧的优点,也具有引线键合SON解决方案的大电流支持和额外功能。
三极管有静态和动态两种工作状态。未加信号时三极管的直流工作状态称为静态,此时各极电流称为静态电流,给三极管加入交流信号之后的工作电流称为动态工作电流,这时三极管是交流工作状态,即动态
尽管新型皮秒激光已经到来,但现有的CO2激光还会维持一段时间的主流地位。为了配合带铜箔半加成法工艺,可通过铜面前处理来提升CO2激光的吸收率,并可改善孔型
一种基于基板埋入技术的新型SiC功率模块封装及可靠性优化设计方法:采用新型光敏成型介质(PID),通过光刻工艺制备SiC MOSFET功率器件电极上的互连盲孔
FPC与连接器之间一般是通过焊接的形式来固定的;但是这个FPC连接器不一样,它是使用接线端子与FPC连接的,特斯拉MODEL 3此版本的电池包就是采用了这个方案
目前类载板要求的线宽/线距为≤30μm/30um ,无法采用减成法生产,需要使用mSAP (改良型半加成法)制程技术。即将封装基板和载板功能集于一身的基板材料。但制造工艺、原材料和设计方案(一片还是多片)都还没有定论。
微波射频电路杂波干扰技术,存在电磁环境复杂、体积小、构成复杂、数模板混合等问题,从而产生较大的干扰,不利于电路系统运行。可以合理进行物理分区和电气分区设计,改善其电磁环境,合理设置电路结构,改进混频管距离,节约空间,并设置接地,降低干扰