
再与减成法比较,半加成法制成线路宽度不受电镀铜厚影响、较容易控制,同时线路具更高解析度,在制作高精细线路线宽、线距可以制作更为一致,同时提升成品良率。mSAP技术主要应用BT载板
IC封装载板(包括模块基板)要求的超薄低轮廓电解铜箔应具有高温下(210℃/1h处理后)的高抗拉强度性、高热稳定性、高弹性模量、高剥离强度。它的厚度规格为5.0μm~12μm。
新型材料的选择为LED封装工艺的提升提供了无限可能性。以氧化铝和氮化铝为主要材料的陶瓷基板拥有与芯片相匹配的热膨胀系数,其中氮化铝基材的导热率更是达到了170w/m.k以上
对于封装和PCB来说,其设计、仿真、生产的流程基本上是一致的,尤其当封装进化为SiP和先进封装之后,二者都属于电子集成技术,只是实现的层次不同
相比传统Monolithic芯片技术,Chiplet封装技术背景下,可以将大型单片芯片划分为多个相同或者不同的小芯片,这些小芯片可以使用相同或者不同的工艺节点制造,再通过跨芯片互联和封装技术进行封装级别集成
要预测 LED系统的使用寿命并确保其可靠性,需要了解关键故障。在本文中,基于四个倒装芯片LED的LED模块通过使用热阻抗分析在电源开关测试 (SST) 期间的可靠性和老化现象的设计方面进行了研究。
IC封装键合细分封装市场的一种方法是按互连类型,包括引线键合、倒装芯片、晶圆级封装 (WLP) 和硅通孔 (TSV)。互连用于将封装中的一个芯片连接到另一个芯片
本文就薄铜IC封装载板BT料CO2激光直接钻通孔工艺进行了深入的探讨,通过微蚀量测试优化了工艺流程,降低了溅射铜对线路制作的影响
SoC引起的封装和PCB问题之间有许多相似之处。但是,尽管芯片和电路板之间的物理距离以及与芯片或其封装相比电路板的尺寸要大得多,但问题集在某些方面却相当糟糕。
封装行业有一系列技术可支持multi-die设计,例如:标准的2D封装、2.5D先进封装,以及3D堆叠裸片,但没有哪个封装技术是可以适合所有产品的。