
本文分析和探讨了碳化硅器件封装中的3个关键技术问题:1)整理归纳了低杂散电感参数的新型封装结构,从设计原理上概括了其基本思路并列举了一些典型封装结构;2)总结了目前常用的一些高温封装方式和材料特性等
封装设计就是为了将晶圆放到基板上,裸片的引脚通过内部连接与基板互连,通过后道塑封将其封装好后,基板再通过外部连接与外部PCB主板互连,这样就实现内部芯片与外界的连接。
芯片封装工艺流程是将芯片(集成电路)进行封装,以保护芯片并方便其与外界交互。封装工艺流程通常可以分为前段操作和后段操作。前段操作是指在芯片封装之前的工艺步骤,后段操作是指在成型之后的工艺步骤。
IGBT (绝缘栅双极晶体管)作为一种功率半导体器件,广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点。它是能量转换和传输的核心装置。
陶瓷被用作IC芯片封装的材料,是因其在电、热、机械特性等方面极其稳定,耐蚀性好、机械强度高、热膨胀系数小和热导率高;而且它的特性可通过改变其化学成分和工艺的控制调整来实现
BGA和PCB翘曲是各种元器件封装材料(例如IC封装载板,硅芯片和EMC)之间的热膨胀系数(CTE)不匹配而导致的。温度升高的速率会影响放置和移除元器件过程中的温度均匀性,因此该速率与翘曲严重程度间接相关
SiP是系统级封装,因此SiP至少需要将两颗以上的裸芯片封装在一起,例如将Baseband芯片+RF芯片封装在一起形成SiP,单芯片封装是不能称之为SiP的。先进封装HDAP则不同,可以包含单芯片封装
本文将介绍专用于IC载板的直流铜电镀创新复合添加剂,可通过改进的图形电镀实现嵌入式沟槽填充,同时完成电镀通孔及盲孔填充。这些新产品不仅可形成更好的走线轮廓,而且还可填充盲孔和电镀通孔。
通过采用SMPD封装,设计人员可以提高电动汽车充电器的功率,从而提高功率密度和效率。SMPD使设计人员能够开发输出功率高达50 kW的单功率单元,而无需并联元件。使用SMPD功率元件有助于通过使用更少的元件来降低制造成本
FCBGA封装采用先进的单颗层压板或陶瓷基板。FCBGA基板利用多个高密度布线层,激光盲孔、埋孔和叠孔,超小节距金属化,从而实现最高的布线密度。通过将倒装芯片互连与超先进基板技术结合在一起,FCBGA封装基板能够在最大程度上优化电气性能